1. MPS6652RLRAG
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MPS6652RLRAG 

产品描述

Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 T/R

内部编号

277-MPS6652RLRAG

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:8000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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MPS6652RLRAG产品详细规格

规格书 MPS6652RLRAG datasheet 规格书
MPS6652RLRAG datasheet 规格书
MPS6601,02,51,52
文档 Multiple Devices 10/Oct/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 50 @ 500mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-92
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 50@100mA@1V|50@500mA@1V|30@1000mA@1V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.6@100mA@1000mA V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 45 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
发射极 - 基极电压VEBO 4 V
集电极 - 发射极饱和电压 300 V
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 50
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92-3 (TO-226)
连续集电极电流 0.5 A
最低工作温度 - 55 C
封装 Reel
工厂包装数量 2000
集电极最大直流电流 1
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 100(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 4
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 50 @ 500mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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